鸢算科技：CP-VASP恒电势与双面电容。
先在calculations/cu-neutral准备合法Cu POTCAR并sbatch run.sh。完成后在附件根目录python prepare_targets.py，更新另外三目录的TARGETMU，然后准备同一Cu POTCAR分别sbatch run.sh。
全部完成后module load ase/3.29.0，在附件根目录python extract_constant_potential.py。公开脚本生成自己的stdout.log，解析CPM-ion并核对每轮SCF及mu残差。
四层未优化理想Cu111，固定几何；连续介质1mol/L参数，两个相同表面；相对中性参照不是绝对SHE/PZC。电容为小窗口模型斜率，无反应、MD、显式水。CPU程序使用Slurm计算节点四进程。
不含POTCAR或原始VASP输出，参考数值和图在RESULTS.json/figures。
