Gaussian 带电分子的PCM与SMD实操
OH负离子与水合氢离子完整优化频率和单点输入,拆分模型变化与几何弛豫,说明SMD取能量。
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下载25份完整输入、原生数值与绘图脚本,解压到新目录后:
bash run.sh
默认读取已有数据,生成 analysis/ 和5张 figures/,不启动Gaussian。NumPy、Matplotlib来自集群ASE 3.29 Python环境;也可通过PYTHON指定自己的解释器。
需要重算时,先初始化个人Gaussian环境:
yskit gaussian-init
按照Gaussian输入与CPU提交申请CPU资源,在已分配的CPU作业中加载个人环境,然后运行:
bash run.sh compute
程序依次完成25份Gaussian输入、逐个运行formchk,再从自己的输出分析与画图。本例是Gaussian16 C.01 AVX厂商预编译CPU版本,个人独立初始化,没有公共Gaussian module或自编译器/MPI版本可以套用。每份输入1线程、1GB,按实际分配资源调整;不是GPU或Intel Xeon 8173M性能测试。
已有输出时另解压一份,避免覆盖。已有完整work而尚无analysis/figures时可用 bash run.sh analyze。公开 native-fields.fchk.txt 只是数值摘录,不是完整波函数;自己的CHK须先用formchk转换。
1. 先明确要比较什么#
本例使用OH⁻与H₃O⁺,分别在气相、IEFPCM水和SMD水中做B3LYP/6-31+G(d)优化与频率,再在实际气相优化几何上补算相同连续介质单点。OH⁻的电荷/多重度是 -1 1,H₃O⁺是 1 1,两者都是10电子。
先比较“固定同一气相核几何时换模型”,再比较“在同一溶剂模型中继续优化核几何”。这两步不能混成同一个量。对阴离子,基组中的弥散函数尤其需要注意;本例的 + 保留弥散函数,但小基组并非最终收敛结果。
2. 气相、PCM和SMD完整输入#
OH⁻气相:
%nprocshared=1
%mem=1GB
%chk=result.chk
#p B3LYP/6-31+G(d) Opt Freq SCF=Tight Int=UltraFine NoSymm
Solvent and electric response oh-anion-gas-optfreq
-1 1
O 0.000000000000 0.000000000000 0.000000000000
H 0.000000000000 0.000000000000 0.980000000000
OH⁻的IEFPCM水:
%nprocshared=1
%mem=1GB
%chk=result.chk
#p B3LYP/6-31+G(d) Opt Freq SCF=Tight Int=UltraFine NoSymm SCRF=(IEFPCM,Solvent=Water)
Solvent and electric response oh-anion-pcm-water-optfreq
-1 1
O 0.000000000000 0.000000000000 0.000000000000
H 0.000000000000 0.000000000000 0.980000000000
OH⁻的SMD水:
%nprocshared=1
%mem=1GB
%chk=result.chk
#p B3LYP/6-31+G(d) Opt Freq SCF=Tight Int=UltraFine NoSymm SCRF=(SMD,Solvent=Water)
Solvent and electric response oh-anion-smd-water-optfreq
-1 1
O 0.000000000000 0.000000000000 0.000000000000
H 0.000000000000 0.000000000000 0.980000000000
H₃O⁺气相:
%nprocshared=1
%mem=1GB
%chk=result.chk
#p B3LYP/6-31+G(d) Opt Freq SCF=Tight Int=UltraFine NoSymm
Solvent and electric response hydronium-gas-optfreq
1 1
O 0.000000000000 0.000000000000 0.000000000000
H 0.960000000000 0.000000000000 0.200000000000
H -0.480000000000 0.831384000000 0.200000000000
H -0.480000000000 -0.831384000000 0.200000000000
H₃O⁺的IEFPCM水:
%nprocshared=1
%mem=1GB
%chk=result.chk
#p B3LYP/6-31+G(d) Opt Freq SCF=Tight Int=UltraFine NoSymm SCRF=(IEFPCM,Solvent=Water)
Solvent and electric response hydronium-pcm-water-optfreq
1 1
O 0.000000000000 0.000000000000 0.000000000000
H 0.960000000000 0.000000000000 0.200000000000
H -0.480000000000 0.831384000000 0.200000000000
H -0.480000000000 -0.831384000000 0.200000000000
H₃O⁺的SMD水:
%nprocshared=1
%mem=1GB
%chk=result.chk
#p B3LYP/6-31+G(d) Opt Freq SCF=Tight Int=UltraFine NoSymm SCRF=(SMD,Solvent=Water)
Solvent and electric response hydronium-smd-water-optfreq
1 1
O 0.000000000000 0.000000000000 0.000000000000
H 0.960000000000 0.000000000000 0.200000000000
H -0.480000000000 0.831384000000 0.200000000000
H -0.480000000000 -0.831384000000 0.200000000000
如需单独学习一个条件,复制对应输入到自己的新工作目录,在分配的CPU作业中运行:
g16 < input.gjf > output.log
grep 'Normal termination' output.log
grep 'Maximum Force' output.log
grep 'Frequencies --' output.log
formchk result.chk result.fchk
先确认整个作业正常结束、优化收敛,再检查频率。OH为双原子分子应有1个振动模式,H₃O⁺非线性四原子应有6个;本例相应模式均为正。

图中只为显示将O移到原点,不改变键长。连续介质没有显式水分子;需要研究水合壳层或具体氢键结构时,应另建显式溶剂模型。
3. 在实际气相几何上补溶剂单点#
以OH⁻的SMD为例,下列坐标来自上面已经完成的气相优化。这里不再写Opt/Freq:
%nprocshared=1
%mem=1GB
%chk=result.chk
#p B3LYP/6-31+G(d) SCF=Tight Int=UltraFine NoSymm SCRF=(SMD,Solvent=Water)
Derived solvent/charge reference oh-anion-smd-water-fixed
-1 1
O 0.000000000000 0.000000000000 0.002567304609
H 0.000000000000 0.000000000000 0.977432695632
流程:气相优化/频率→导出自己的优化坐标→在该坐标上算PCM/SMD单点→同模型优化/频率→按相同定义取能量。更换分子或重新优化后,必须更新对应单点坐标;不能继续使用本例坐标。
固定核几何不等于非平衡溶剂响应。本篇固定几何单点仍是基态平衡连续介质;激发态非平衡PCM是另一种响应过程。
4. 实际能量如何取数#
定义Egas为气相优化能量,Efixed为气相核几何上的溶剂模型单点,Erelaxed为溶剂中重新优化能量:
固定几何模型变化=Efixed−Egas;溶剂中核几何弛豫=Erelaxed−Efixed;二者相加为 Erelaxed−Egas。
| 物种/模型 | 固定几何模型变化 / kJ·mol⁻¹ | 继续优化几何 / kJ·mol⁻¹ |
|---|---|---|
| OH⁻/IEFPCM | -348.383509 | -0.019162 |
| OH⁻/SMD | -399.708017 | -0.033149 |
| H₃O⁺/IEFPCM | -325.723435 | -1.085717 |
| H₃O⁺/SMD | -404.842972 | -2.946647 |

cat analysis/continuum.csv
grep 'SCF Done' output.log
grep 'PCM non-electrostatic energy' output.log
grep 'Nuclear repulsion after' output.log
grep 'SMD-CDS' output.log
本例SMD日志把非静电项加入了核排斥能,随后SCF Done与FCHK Total Energy已经包含这项。不要再把SMD-CDS加到总能量上,否则会重复计算。附带脚本按实际核坐标重建裸核库仑能,再与非静电项、原生核排斥能逐项对照;不是只根据表头猜取数。
5. 这些结果能说明什么#
表中是本模型电子/模型总能差,未包含完整溶液化学势、标准态、完整构象与水合统计。带电物种的绝对溶剂化自由能还涉及参照约定,本表不能直接当实验单离子溶剂化自由能,更不能直接换成pKa或电极电势。
带电分子的偶极还依赖坐标原点;比较前必须约定原点。连续介质和固定核响应的区别继续见外场实操;脱电子的垂直/绝热定义见电子脱附。