ATAT 电子自由能与温度 ECI

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电子自由能与温度相关 ECI#

VASP 输出经 extract_vasp 转成 dos.out。文件开头是电子数、能量分箱宽度和缩放因子，之后是各能量格子的态密度；它不是原始 VASP DOSCAR，不能直接把 DOSCAR 改名使用。

felec -T1=1000 -dT=100

得到 felec、felec.log、plotdos.out。本章对 Cu–Au 数据中的实际 VASP DOS，以及 Al 体积扫描中的 VASP DOS 进行了处理。

这些 DOS 来自教学网格和有限分箱，低温细节尤其需要更密 k 点及足够能带检查。felec 采用温度不改变能带的近似，不能描述所有电子结构随温度变化的效应。

要把这一项接入已有簇展开，在总目录统一温度网格：

1000 11

保存为 Trange.in，表示 0—1000 K 共 11 个温度。分别在结构目录运行 felec，随后在总目录：

clusterexpand felec
mkteci felec.eci

前者以已有团簇集合拟合各温度下的电子自由能，后者把它与 eci.out 中的静态项组合成 teci.out。多个来源可以一起组合，例如 mkteci fvib.eci felec.eci，前提是团簇顺序、温度网格、单位与归一化全部一致。

teci.out 存在时，蒙特卡洛优先使用它。 比较“只含构型”和“加入非构型自由能”的结果时使用两个独立目录，避免忘记已有 teci.out 而算错模型。本文提供电子项组合的实际输出，不将其直接推广为已经收敛的完整相图。

数据和配套算例#

下载完整实算资料包，保留 examples/common，进入所需算例目录执行 sbatch submit.sh。输入、参考结果、科学设置和重跑方式均在各目录的 README 中。