VASP 专题

VASP热输运与电子–声子:文件衔接和单位

把三阶、四阶力常数与BTE,和原生电子–声子矩阵元、自能分开串起来,指向完整实算输入及工具命令。

更新于 2026-11-12约 4 分钟阅读按任务与环境选择适用配置
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想算热导率、声子寿命或电子–声子线宽时,先分清目标量。本页把鸢算科技集群已经完成的真实Si实例串成两条路线。每一步链接到完整输入、提交脚本和结果;学习已有数据无需重新提交DFT。

1. 先选要计算的性质#

目标 VASP提供什么 后续工具/输出 完整实例
三声子晶格热导 位移超胞的原子受力 Phono3py,FC2/FC3与声子BTE 三阶力常数与热导
加入四声子散射 更多组合位移的受力 Fourthorder与FourPhonon,FC4及三加四声子BTE 真实DFT受力、四声子热导
电子–声子矩阵元 位移势导数、电子态和原生矩阵元 phelel_params.hdf5→vaspelph.h5 原生矩阵元
电子能级位移与线宽 Fan和Debye–Waller响应 vaspout.h5中的自能 自能与线宽

这里的声子BTE求晶格热导,电子自能描述电子态响应;不能由一张声子DOS或一条能带曲线直接得到上述全部性质。

2. 三阶:位移→受力→力常数→BTE#

先下载三阶实例的附件并解压;它使用VASP 6.6.1、PAW64 PBE Si,ENCUT=550 eV、EDIFF=1E−6。Phono3py 4.8.2生成位移,16原子超胞、39个真实位移计算、4 Å原子对截断。

unzip vasp-properties-batch2-*.zip -d vasp-example-2
cd vasp-example-2
cat README.txt
cat calculations/si-anharmonic-000/INCAR
# 所有位移静态受力完成后
sbatch post-phonons.sh
squeue -u "$USER"

保留phono3py_disp.yaml、原子顺序与目录编号,不能将缺失受力填零或重新排序。位移结构使用NSW=0计算静态力,不做结构优化。

已有三阶真实计算的三个q网格

300 K的5³、7³、9³网格κxx分别约66.602、85.055、96.985 W/(m·K),仍有明显网格差异。这组数据说明怎样比较参数,不是收敛热导率。

3. 四阶:别混用位移幅度和文件顺序#

按Fourthorder受力教程下载si-fourphonon.zip。三个四阶位移幅度各48组、三阶8组,共152组逻辑受力;完全相同构型复用后实际完成119次独立DFT。电子参数与上一条独立Phono3py例子不同,不要跨包混用受力。

python3 -m zipfile -e si-fourphonon.zip .
cd fourthorder-fourphonon-silicon-wave288
bash preview.sh
bash prepare.sh
bash reconstruct.sh
sbatch cpu.sh
# 完成后
cat results/data/transport.csv

工具原生sow/reap顺序及H值见力常数重构;完整CONTROL与求解命令见FourPhonon入门。附件已带实际受力,重构与CPU输运不需要再跑119次DFT。

300 K、3³粗网格RTA下,三声子κ约26.17719,加入四声子约24.06041 W/(m·K)。这是另一套16原子/近邻教学模型,不能拿它与上一节不同设置的κ直接当作唯一的四声子降幅。

4. 原生电子–声子:先势导数,再矩阵元和自能#

下载矩阵元教程里的第22批实例包,按README先提交si16-elph-potential,准备本人有权使用的同一套Si POTCAR。势导数计算核心为:

IBRION=6
NFREE=2
POTIM=0.01
ELPH_POT_GENERATE=.TRUE.

得到phelel_params.hdf5与CONTCAR_ELPH后:

python prepare_response.py
cd calculations/si-mels-fullbands
sbatch run.sh

响应输入、KPOINTS_ELPH与第4/5带索引的完整例子见矩阵元和自能。请以附件README中的实际目录结构为准;势导数和响应必须匹配赝势、原胞映射、截断及FFT网格。

响应任务完成后,回到包根目录读取自己的原生HDF5:

module load py4vasp/0.11.3
python extract_native_elph.py

实际电子–声子矩阵元路径结果

矩阵元例子取完整占据价带1–4子空间,不能把简并态中某个随基底改变的单一矩阵元当成独立可观测量。自能实例保留6³/8³和η=0.05/0.10 eV的差异;这些参数还未收敛,不能把η直接写成电子物理线宽。

5. 单位核对表#

量 本例单位及处理
三阶/四阶IFC 对应eV/ų、eV/Å⁴;保持工具定义、原子映射与组合因子
FourPhonon lfactor=0.1 本例用Å填写晶格,转换到程序nm约定
BTE.omega rad/ps;除2π才得到THz
BTE.w ps⁻¹散射率;相空间P3/P4不是散射率
BTE.kappa_tensor W/(m·K),首列是迭代编号,后9列是张量
原生电子–声子矩阵元g 本例eV,复数末维为实/虚部;子空间范数不是λ
原生声子频率数组 本例Γ光学值约94.690932,对应角频率;÷2π≈15.070530 THz
Fan与DW自能 eV;ΔE≈ReΣFan+ΣDW,Γ=−ImΣFan,FWHM=2Γ
形式寿命 Z=1准粒子近似τ=ℏ/(2Γ),不是完整频率依赖谱函数

再次从实际HDF5提取的11点单位核对表和操作导航包可独立下载。包内bash read.sh读取精简CSV;它不会启动VASP,也不代替原始实例中的HDF5提取。

软件构建环境、完整INCAR/POSCAR/KPOINTS、终端步骤与结果图均保留在各步教程。本页只负责衔接,不为这些粗网格数据增加新的材料收敛结论。

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